TESLA200是一款專為IGBT/Power MOSFET （GaN, SiC, Si）器件在晶圓級測量而設計的新型晶圓功率半導體探測系統。支持高達3 kV（三軸）/ 10 kV（同軸）和200 A（標準）/ 600 A（高電流）的精確測量。
TESLA200是一款專為IGBT/Power MOSFET （GaN, SiC, Si）器件在晶圓級測量而設計的新型晶圓功率半導體探測系統。支持高達3 kV（三軸）/ 10 kV（同軸）和200 A（標準）/ 600 A（高電流）的精確測量。具有抗電弧解決方案，支持工程探針和量產探針卡。TESLA200具有-55°C到300°C全溫范圍測量能力，配置大功率鍍金卡盤，以確保低接觸電阻，薄片處理和功率耗散。安全和方便地集成了主流廠家的半導體功率參數分析儀，同時提供低噪音、完全防護和屏蔽的測試環境，以及經過認證的安全聯鎖系統。
